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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 900 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 400 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 90 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 600 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 3.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT40M301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL TMOS TYPE(HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS) |
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| GT40PI120T5H | SILVERMICRO |
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PIM IGBT-1200V |
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| GT40Q321 | TOSHIBA |
获取价格 |
Voltage Resonance Inverter Switching Application |
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| GT40Q321_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IEGT Voltage Resonance Inverter Switching Application |
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| GT40Q322 | TOSHIBA |
获取价格 |
Voltage Resonance Inverter Switching Application |
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| GT40Q323 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application |
|
| GT40Q323_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application |
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| GT40QR21 | TOSHIBA |
获取价格 |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
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| GT40RR21 | TOSHIBA |
获取价格 |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
|
| GT40T101 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS) |
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