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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 300 ns |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC50WPBF | INFINEON |
功能相似  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PC40UDPBF | INFINEON |
功能相似 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4PC50UDPBF | INFINEON |
功能相似 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT15J301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT15J311 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT15J311(SM) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-263AB |
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| GT15J311_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT15J321 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Fast Switching Applications |
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| GT15J321_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT15J331 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| GT15J331(2-10S1C) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-10S1C, TO-220FL, 3 PIN, Insulated Gate BIP Trans |
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| GT15J331(2-10S2C) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-10S2C, TO-220SM, 3 PIN, Insulated Gate BIP Trans |
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| GT15J331_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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