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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 320 ns | 标称接通时间 (ton)： | 180 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT15J341,S4X | TOSHIBA |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| GT15M321 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT |
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| GT15M321_06 | TOSHIBA |
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HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT15N101 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT15PI120B2FH | SILVERMICRO |
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PIM IGBT-1200V |
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| GT15PI120B2H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT15PI120B3H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT15PI120B9H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT15PI120C7H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT15PI120T5H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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