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GT15Q311

更新时间: 2024-11-17 22:09:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 173K
描述
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT15Q311 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.89
其他特性:HIGH SPEED SWITCHING外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-PSSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):720 ns
标称接通时间 (ton):170 nsBase Number Matches:1

GT15Q311 数据手册

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GT15Q311  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT15Q311  
High Power Switching Applications  
Motor Control Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
·
The 3rd generation  
Enhancement-mode  
High speed: t = 0.32 µs (max)  
f
Low saturation voltage: V  
FRD included between emitter and collector  
= 2.7 V (max)  
CE (sat)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
1200  
±20  
15  
V
V
CES  
GES  
DC  
Collector current  
1 ms  
I
C
A
A
I
30  
CP  
JEDEC  
JEITA  
DC  
I
15  
F
Emitter-collector  
forward current  
1 ms  
I
30  
FM  
TOSHIBA  
2-16H1A  
Collector power dissipation  
(Tc = 25°C)  
P
160  
W
C
Weight: 3.65 g (typ.)  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
150  
°C  
°C  
j
T
55 to 150  
stg  
Equivalent Circuit  
Collector  
Gate  
Emitter  
1
2002-10-29  

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