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GT15Q311

更新时间： 2024-09-14 22:09:07

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
7页	173K
描述
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

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GT15Q311 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.89
其他特性：	HIGH SPEED SWITCHING	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	720 ns
标称接通时间 (ton)：	170 ns	Base Number Matches：	1

GT15Q311 数据手册

GT15Q311

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT15Q311

High Power Switching Applications

Motor Control Applications

Unit: mm

The 3rd generation

Enhancement-mode

High speed: t = 0.32 µs (max)

Low saturation voltage: V

FRD included between emitter and collector

= 2.7 V (max)

CE (sat)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

1200

±20

CES

GES

Collector current

1 ms

JEDEC

JEITA

―

Emitter-collector

forward current

1 ms

TOSHIBA

2-16H1A

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

160

Weight: 3.65 g (typ.)

Junction temperature

Storage temperature range

150

°C

−55 to 150

stg

Equivalent Circuit

Collector

Gate

Emitter

2002-10-29

12 3 4 5 6 7

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