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GT15PI120B2H

更新时间： 2024-09-16 17:15:51

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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PIM IGBT-1200V

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GT15PI120B2H 数据手册

GT15PI120B2H

IGBT Module

Features：

Short Circuit Rated>10μs

Low Saturation Voltage: V_{CE (sat)}= 1.90V @ I_C= 15A , T_C=25℃

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：

Industrial Inverters

Servo Applications

IGBT, Inverter

Maximum Rated Values (T_C=25℃unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

T_C= 80℃,

T_C= 25℃

T_J= 175℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM(1)

t_SC

Peak Collector Current Repetitive

Short Circuit Withstand Time

>10

205

μs

T_C= 25℃

P_D

Maximum Power Dissipation per IGBT

_Jmax=175℃

www.njsme.com

Page 1 Rev. 03

07/13/2016

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