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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.85 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 500 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 600 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT15Q102 | TOSHIBA |
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High Power Switching Applications |
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| GT15Q102_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT15Q301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT15Q301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT15Q311 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT15T-2022SCF | HRS |
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Wire Terminal |
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| GT15T-2024SCF | HRS |
获取价格 |
HID Lamp DII Sockets |
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| GT15T-2024SCF(A) | HRS |
获取价格 |
Wire Terminal |
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| GT15T-2024SCF(A)(70) | HRS |
获取价格 |
Push-On Terminal, ROHS COMPLIANT |
|
| GT15T-2S | HRS |
获取价格 |
HID Lamp DII Sockets |
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