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GT15J321

更新时间： 2024-11-17 22:48:43

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
High Power Switching Applications Fast Switching Applications

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GT15J321 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	LEAD FREE, 2-10R1C, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	150 ns	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	340 ns	标称接通时间 (ton)：	170 ns
Base Number Matches：	1

GT15J321 数据手册

GT15J321

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT15J321

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

Unit: mm

•

The 4th generation

FS (fast switching)

Enhancement-mode

High speed: t = 0.03 µs (typ.)

Low saturation Voltage: V = 1.90 V (typ.)

FRD included between emitter and collector.

CE (sat)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

600

±20

CES

GES

Collector current

1 ms

JEDEC

―

Emitter-collector forward

JEITA

current

1 ms

TOSHIBA

Weight: 1.7 g

2-10R1C

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

−55~150

stg

Equivalent Circuit

Collector

Gate

Emitter

2002-01-18

12 3 4 5 6 7

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