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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT753
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FZT753

更新时间： 2024-11-21 11:57:07
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2页 114K
描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FZT753 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：1.1外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHz

FZT753 数据手册

 浏览型号FZT753的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 4– FEBRUARY 1996  
FZT753  
FEATURES  
C
*
*
Low saturation voltage  
Excellent hFE specified up to 2A  
E
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FZT653  
FZT753  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-120  
Collector-Emitter Voltage  
-100  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Peak Pulse Current  
-6  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
-2  
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
-120  
-100  
-5  
IC=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V
V
IC=-10mA*  
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current ICBO  
-0.1  
-10  
V
CB=-100V  
µA  
µA  
VCB=-100V,T =100°C  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-0.1  
VEB=-4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.17  
-0.30  
-0.3  
-0.5  
V
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-2A, IB=-200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.9  
-1.25  
V
I =-1A, IB=-100mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-0.8  
-1.0  
V
I =-1A, VCE=-2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
70  
100  
55  
200  
200  
170  
55  
IC=-50mA, VCE=-2V*  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
300  
30  
25  
IC=-2A, VCE =-2V*  
Transition Frequency  
fT  
100  
140  
MHz  
IC=-100mA, VCE=-5V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
ton  
pF  
ns  
ns  
VCB =-10V f=1MHz  
40  
IC=-500mA, VCC =-10V  
IB1=IB2=-50mA  
toff  
600  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 236  
12

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FZT753 替代型号

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