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FZT758

更新时间： 2024-11-24 22:06:27

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关光电二极管高压局域网
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PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FZT758 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.17
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	20 pF	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

FZT758 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

ISSUE 2 FEBRUARY 1995

FZT758

FEATURES

400 Volt V_CEO

0.5 Amp continuous current

Low saturation voltage

COMPLEMENTARY TYPE

PARTMARKING DETAIL

FZT658

FZT758

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-400

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-400

-5

Peak Pulse Current

-1

-500

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

°C

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN.

V_(BR)CBO-400

PARAMETER

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_CEO(SUS)-400

Emitter-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)EBO

-5

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

-100

V_CB=-320V

V_CE=-320V

V_EB=-4V

I_CES

I_EBO

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.30

-0.25

-0.50

I_C=-20mA, I_B=-1mA

I_C=-50mA, I_B=-5mA*

I_C=-100mA, I_B=-10mA*

Base-Emitter Saturation

Voltage

V_BE(sat)

-0.9

I_C=-100mA, I_B=-10mA*

Base-Emitter Turn On Voltage

V_BE(on)

h_FE

-1.0

I_C=-100mA, V_CE=-5V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

I_C=-1mA, V_CE=-5V

I_C=-100mA, V_CE=-5V*

I_C=-200mA, V_CE=-10V*

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=-20mA, V_CE=-20V

f=20MHz

Output Capacitance

Switching times

C_obo

V_CB=-20V, f=1MHz

t_on

t_off

140 Typical ns

2000 Typical ns

I_C=-100mA, V_CC=-100V

I_B1=10mA, I_B2=-20mA

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

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