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FZT758

更新时间： 2024-09-15 22:06:27
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2页 95K
描述
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FZT758 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.17
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：20 pF集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

FZT758 数据手册

 浏览型号FZT758的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
ISSUE 2 – FEBRUARY 1995  
FZT758  
FEATURES  
C
*
*
*
400 Volt VCEO  
0.5 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
E
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FZT658  
FZT758  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-400  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-400  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-1  
-500  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
mA  
W
°C  
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO -400  
PARAMETER  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VCEO(SUS) -400  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)EBO  
-5  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-100  
-100  
-100  
nA  
nA  
nA  
VCB=-320V  
VCE=-320V  
VEB=-4V  
ICES  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.30  
-0.25  
-0.50  
V
V
V
IC=-20mA, IB=-1mA  
IC=-50mA, IB=-5mA*  
IC=-100mA, IB=-10mA*  
Base-Emitter Saturation  
Voltage  
VBE(sat)  
-0.9  
V
IC=-100mA, IB=-10mA*  
Base-Emitter Turn On Voltage  
VBE(on)  
hFE  
-1.0  
V
IC=-100mA, VCE=-5V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
50  
50  
40  
IC=-1mA, VCE=-5V  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
IC=-200mA, VCE=-10V*  
Transition Frequency  
fT  
50  
MHz  
pF  
IC=-20mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Output Capacitance  
Switching times  
Cobo  
20  
VCB=-20V, f=1MHz  
ton  
toff  
140 Typical ns  
2000 Typical ns  
IC=-100mA, VCC=-100V  
IB1=10mA, IB2=-20mA  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 242  
12

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