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FZT755

更新时间： 2024-11-24 22:06:27
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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2页 91K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FZT755 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：20 pF
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

FZT755 数据手册

 浏览型号FZT755的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FZT755  
ISSUE 4 – FEBRUARY 1996  
✪
FEATURES  
*
*
*
25 Volt VCEO  
C
Low saturation voltage  
Excellent hFE specified up to 6A (pulsed).  
E
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FZT655  
FZT755  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-150  
Collector-Emitter Voltage  
-150  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-1  
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-150  
-150  
-5  
IC=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=-10mA*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current ICBO  
-0.1  
-0.1  
V
CB=-125V  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
VEB=-3V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.5  
-0.5  
V
V
IC=-500mA, IB=-50mA*  
IC=-1A, IB=-200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-1.1  
V
IC=-500mA, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-1.0  
V
IC=-500mA, VCE=-5V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
50  
50  
20  
IC=-10mA, VCE=-5V*  
IC=-500mA, VCE=-5V*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
300  
20  
Transition Frequency  
fT  
30  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
VCB=-10V f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3 - 238  
12

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