FZT788B

更新时间： 2024-11-08 22:06:27

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT788B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

FZT788B 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

FZT788B

FEATURES

Low equivalent on-resistance; R_CE(sat)93mΩ at 3A

Gain of 300 at I_C=2 Amps and Very low saturation voltage

APPLICATIONS

Battery powered circuits

COMPLEMENTAY TYPE FZT688B

PARTMARKING DETAIL FZT788B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-15

Collector-Emitter Voltage

-15

Emitter-Base Voltage

-5

Peak Pulse Current

-8

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

I_C

-3

P_tot

°C

T_j:T_stg

= 25°C)

-55 to +150

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown Voltage V_(BR)CBO-15

Collector-Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEO-15

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

V_(BR)EBO-5

I_CBO

-0.1

V_CB=-10V

µA

I_EBO

V_EB=-4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-0.15

-0.25

-0.45

-0.5

I_C=-0.5A, I_B=-2.5mA*

I_C=-1A, I_B=-5mA*

I_C=-2A, I_B=-10mA*

I_C=-3A, I_B=-50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-0.9

I_C=-1A, I_B=-5mA*

Base-Emitter Turn-On Voltage

V_BE(on)

h_FE

-0.75

I_C=-1A, V_CE=-2V*

Static Forward Current Transfer

Ratio

500

1500

I_C=-10mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

I_C=-6A, V_CE=-2V*

400

300

150

Transition Frequency

f_T

100

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-5V

f=50MHz

Input Capacitance

Output Capacitance

Switching Times

C_ibo

225

V_EB=-0.5V, f=1MHz

V_CB=-10V, f=1MHz

C_obo

t_on

t_off

400

I_C=-500mA, I_B1=-50mA

I_B2=-50mA, V_CC=-10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 244

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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