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FZ1600R17HP4_B21

更新时间： 2024-11-25 14:50:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	915K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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FZ1600R17HP4_B21 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.52
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FZ1600R17HP4_B21 数据手册

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FZ1600R17HP4_B21

IHM-Bꢀ模块ꢀ采用软特性的沟槽栅IGBT4

IHM-Bꢀmoduleꢀwithꢀsoft-switchingꢀTrench-IGBT4

初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 1600A / I_CRM= 3200A

典型应用

TypicalꢀApplications

• ResonantꢀInverterꢀAppliccations

• HighꢀPowerꢀConverters

• TractionꢀDrives

• 谐振逆变器应用

• 大功率变流器

• 牵引变流器

• 风力发电机

• WindꢀTurbines

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• LowꢀV_CEsat

• 提高工作结温ꢀT_vjꢀop

• 低ꢀꢀV_CEsat

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀ交流ꢀꢀꢀ1分钟ꢀꢀꢀ绝缘

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation

• 碳化硅铝（AlSiC）基板提供更高的温度循环能力

• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling

Capability

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 高爬电距离和电气间隙

• 高功率循环和温度循环能力

• 高功率密度

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• HighꢀPowerꢀandꢀThermalꢀCyclingꢀCapability

• HighꢀPowerꢀDensity

• IHMꢀBꢀ封装

• IHMꢀBꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.1

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1600R17HP4B2BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ1600R17HP4B2BOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FZ1600R17KE3	EUPEC	获取价格	IGBT-inverter
FZ1600R17KE3	INFINEON	获取价格	IHM 1700 V 1600 A 130mm 单开关 IGBT 模块，采用TRENCHS
FZ1600R17KE3_B2	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ1600R17KE3B2NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ1600R17KF6B2	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1600R17KF6C	EUPEC	获取价格	IGBT-Modules
FZ1600R17KF6C_B2	INFINEON	获取价格	2600A, 1700V, N-CHANNEL IGBT, MODULE-7
FZ1600R17KF6CB2	ETC	获取价格	IGBT Module

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