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FZ1800R12HE4B9HOSA2

更新时间： 2024-01-25 20:41:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	581K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2735A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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FZ1800R12HE4B9HOSA2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	36 weeks
风险等级：	5.03	其他特性：	UL APPROVED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2735 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-PUFM-X9	湿度敏感等级：	1
元件数量：	3	端子数量：	9
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1160 ns
标称接通时间 (ton)：	720 ns	Base Number Matches：	1

FZ1800R12HE4B9HOSA2 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FZ1800R12HE4_B9

IHM-BꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiode

IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiode

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 1800A / I_CRM= 3600A

TypischeꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Motorꢀdrives

ElektrischeꢀEigenschaften

ElectricalꢀFeatures

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT_vjꢀop

• Lowꢀswitchingꢀlosses

MechanischeꢀEigenschaften

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HoheꢀLeistungsdichte

• IHMꢀBꢀGehäuse

MechanicalꢀFeatures

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• Highꢀpowerꢀdensity

• IHMꢀBꢀhousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀIB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-09-29

revision:ꢀV2.4

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1800R12HE4B9NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2735A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12HP4_B9	INFINEON	获取价格	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4
FZ1800R12HP4B9HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12HP4B9NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12KF4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 1.8KA I(C)
FZ1800R12KL4C	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1800R16KF4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.6KV V(BR)CES \| 1.8KA I(C)
FZ1800R17HE4_B9	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R17HE4B9HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R17HE4B9NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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