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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-9 | 针数： | 9 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1800 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1600 V | 配置： | COMPLEX |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X9 | 元件数量： | 3 |
| 端子数量： | 9 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1600 ns | 标称接通时间 (ton)： | 1000 ns |
| VCEsat-Max： | 3.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ1800R17HE4_B9 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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| FZ1800R17HE4B9HOSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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| FZ1800R17HE4B9NPSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
|
| FZ1800R17HP4_B29 | INFINEON |
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IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 |
|
| FZ1800R17HP4_B9 | INFINEON |
获取价格 |
IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 |
|
| FZ1800R17HP4B29BOSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| FZ1800R17KE3_B2 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT-modules |
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| FZ1800R17KE3B2NOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2850A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
|
| FZ1800R17KF4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| FZ1800R17KF6CB2V | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
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