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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MODULE-9 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.58 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 2900 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1700 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X9 |
| 元件数量： | 3 | 端子数量： | 9 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 13900 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1460 ns | 标称接通时间 (ton)： | 500 ns |
| VCEsat-Max： | 3.1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ1800R45HL4 | INFINEON |
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IHV-B 4500 V, 1800 A 190 mm single switch?IGBT Module?with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter |
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| FZ1800R45HL4_S7 | INFINEON |
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VGE = 25 V |
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| FZ18R12K4 | ETC |
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IGBT Module |
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| FZ18R16K4 | ETC |
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IGBT Module |
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| FZ1A100KC | DBLECTRO |
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CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE |
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| FZ1A100KR | DBLECTRO |
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CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE |
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| FZ1A100KT | DBLECTRO |
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CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE |
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| FZ1A100LC | DBLECTRO |
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CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE |
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| FZ1A100LR | DBLECTRO |
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CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE |
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| FZ1A100LT | DBLECTRO |
获取价格 |
CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE |
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