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FZ1800R17KE3B2NOSA1

更新时间： 2024-02-14 15:20:25

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅
页数	文件大小	规格书
8页	406K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2850A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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FZ1800R17KE3B2NOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

FZ1800R17KE3B2NOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ1800R17KE3_B2

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

1800

2850

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

3600

12,5

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 1800 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 72,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

21,0

0,7

160

5,20

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1800 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,65

0,70

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1800 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,16

0,20

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1800 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,30

1,60

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1800 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,30

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1800 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

335

490

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1800 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

465

680

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

7200

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

10,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

9,00

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.2

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1800R17KF4	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,
FZ1800R17KF6CB2V	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1800R45HL4	INFINEON	获取价格	IHV-B 4500 V, 1800 A 190 mm single switch?IGBT Module?with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter
FZ1800R45HL4_S7	INFINEON	获取价格	VGE = 25 V
FZ18R12K4	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ18R16K4	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1A100KC	DBLECTRO	获取价格	CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE
FZ1A100KR	DBLECTRO	获取价格	CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE
FZ1A100KT	DBLECTRO	获取价格	CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE
FZ1A100LC	DBLECTRO	获取价格	CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE

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