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FZ1800R17HE4B9HOSA2

更新时间: 2024-01-12 08:19:37
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英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 564K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

FZ1800R17HE4B9HOSA2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:39 weeks
风险等级:5.6其他特性:UL APPROVED
外壳连接:ISOLATED集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-PUFM-X9
湿度敏感等级:1元件数量:3
端子数量:9封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1920 ns标称接通时间 (ton):900 ns
Base Number Matches:1

FZ1800R17HE4B9HOSA2 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1800R17HE4_B9  
IHM-BꢀModul  
IHM-Bꢀmodule  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1700V  
IC nom = 1800A / ICRM = 3600A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• Highꢀpowerꢀconverters  
• Motorꢀdrives  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
• NiedrigesꢀVCEsat  
ElectricalꢀFeatures  
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀTvjꢀop  
• Lowꢀswitchingꢀlosses  
• LowꢀVCEsat  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
MechanischeꢀEigenschaften  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• HoheꢀLeistungsdichte  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  
• Highꢀpowerꢀdensity  
• IHMꢀBꢀGehäuse  
• IHMꢀBꢀhousing  
• Kupferbodenplatte  
• Copperꢀbaseꢀplate  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-09-29  
revision:ꢀV2.2  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1

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VGE = 25 V