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FZ1800R17KE3_B2

更新时间： 2024-01-11 19:25:20
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EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
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8页 265K
描述
IGBT-modules

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FZ1800R17KE3_B2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9针数：9
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.61Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：2850 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X9
湿度敏感等级：1元件数量：3
端子数量：9最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：12500 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1900 ns标称接通时间 (ton)：900 ns
VCEsat-Max：2.45 VBase Number Matches：1

FZ1800R17KE3_B2 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1800R17KE3_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C  
T† = 25°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
1800  
2850  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms, T† = 80°C  
T† = 25°C  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
3600  
12,5  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 1800 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 25°C  
I† = 1800 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 125°C  
V†Š ÙÈÚ  
2,00 2,45  
2,40  
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 72,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
21,0  
0,7  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
V•Š = -15 V ... +15 V  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
160  
5,20  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 1800 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,8 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,8 Â, TÝÎ = 125°C  
tÁ ÓÒ  
tØ  
0,65  
0,70  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 1800 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,8 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,8 Â, TÝÎ = 125°C  
0,16  
0,20  
µs  
µs  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 1800 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,0 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,0 Â, TÝÎ = 125°C  
tÁ ÓËË  
tË  
1,30  
1,60  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 1800 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,0 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,0 Â, TÝÎ = 125°C  
0,18  
0,30  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 1800 A, V†Š = 900 V, L» = 50 nH  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,8 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,8 Â, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ  
EÓËË  
335  
490  
mJ  
mJ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 1800 A, V†Š = 900 V, L» = 50 nH  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,0 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,0 Â, TÝÎ = 125°C  
465  
680  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎù125°C, V†† = 1000 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
7200  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
10,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
9,00  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-1-27  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
1
12345678

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与FZ1800R17KE3_B2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZ1800R17KE3B2NOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 2850A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R17KF4 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,
FZ1800R17KF6CB2V ETC

获取价格

 		IGBT Module
FZ1800R45HL4 INFINEON

获取价格

 		IHV-B 4500 V, 1800 A 190 mm single switch?IGBT Module?with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter
FZ1800R45HL4_S7 INFINEON

获取价格

 		VGE = 25 V
FZ18R12K4 ETC

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 		IGBT Module
FZ18R16K4 ETC

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 		IGBT Module
FZ1A100KC DBLECTRO

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 		CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE
FZ1A100KR DBLECTRO

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 		CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE
FZ1A100KT DBLECTRO

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 		CHIP TYPE, LONG LIFE WITH EXTRA LOWER IMPEDANCE

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