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FZ1600R17KF6CB2NOSA1

更新时间： 2024-02-08 05:39:02

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
8页	633K
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FZ1600R17KF6CB2NOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FZ1600R17KF6CB2NOSA1 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FZ1600R17KF6C_B2

1700VꢀIGBTꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀderꢀ2.tenꢀGenerationꢀundꢀsofterꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

1700VꢀIGBTꢀModuleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀofꢀ2ndꢀgenerationꢀandꢀsoftꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

初步数据

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1700

V_CES

ꢀ

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

1600

2600

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

3200

12,5

总功率损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/- 20

ꢀ

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 1600 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,60 3,10

3,10 3,60

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 130 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

19,0

0,66

105

5,30

6,5

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

0,04 3,0 mA

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,30

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,19

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,20

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,15

0,16

µs

开通损耗能量ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

430

670

关断损耗能量ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

I_SC

ꢀ

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

6400

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

10,0 K/kW

K/kW

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

13,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FZ1800R12HE4B9NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2735A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12HP4_B9	INFINEON	获取价格	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4
FZ1800R12HP4B9HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12HP4B9NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12KF4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 1.8KA I(C)
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