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FZ1600R17KE3B2NOSA1

更新时间： 2024-09-25 14:50:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	400K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FZ1600R17KE3B2NOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2400 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1900 ns
标称接通时间 (ton)：	900 ns	Base Number Matches：	1

FZ1600R17KE3B2NOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ1600R17KE3_B2

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

1600

2400

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

3200

10,5

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 1600 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 64,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

19,0

1,0

145

4,70

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,65

0,70

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,16

0,20

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,30

1,60

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,30

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

305

445

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1600 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

410

600

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

6400

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

12,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

12,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.3

12 3 4 5 6 7 8

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与FZ1600R17KE3B2NOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1600R17KF6B2	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1600R17KF6C	EUPEC	获取价格	IGBT-Modules
FZ1600R17KF6C_B2	INFINEON	获取价格	2600A, 1700V, N-CHANNEL IGBT, MODULE-7
FZ1600R17KF6CB2	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1600R17KF6CB2NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FZ1600R33HE4	INFINEON	获取价格	200% PC
FZ16R12K4	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1800R12HE4_B9	INFINEON	获取价格	1200V IHMB 190mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Control
FZ1800R12HE4B9HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2735A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12HE4B9NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2735A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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