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FZ1600R17KF6C_B2 PDF预览

FZ1600R17KF6C_B2

更新时间： 2024-02-01 10:29:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
9页 147K
描述
2600A, 1700V, N-CHANNEL IGBT, MODULE-7

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FZ1600R17KF6C_B2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.77
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：2600 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1360 ns
标称接通时间 (ton)：490 nsBase Number Matches：1

FZ1600R17KF6C_B2 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1600R17KF6C B2  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1700  
V
TC = 80 °C  
TC = 25 °C  
IC,nom.  
IC  
1600  
2600  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t
P = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
3200  
12,5  
+/- 20V  
1600  
3200  
660  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC=25°C, Transistor  
Ptot  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
IFRM  
tp = 1 ms  
A
Grenzlastintegral der Diode  
I2t - value, Diode  
I2t  
kA2s  
kV  
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
4
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
IC = 1600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C  
VCE sat  
2,6  
3,1  
3,1  
3,6  
V
V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
IC = 1600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I
C = 130mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE(th)  
4,5  
5,5  
19  
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
V
GE = -15V ... +15V  
QG  
µC  
nF  
nF  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
Cies  
105  
5,3  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
ICES  
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
0,04  
20  
3
mA  
mA  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
160  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
V
CE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C  
IGES  
400  
nA  
prepared by: Alfons Wiesenthal  
date of publication: 19.01.2001  
revision: 2 (Serie)  
approved by: Christoph Lübke; 06.02.2001  
1(8)  
FZ1600R17KF6C B2.xls  
1234567...9

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