FQU6P25TU

更新时间： 2024-02-16 00:20:10

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
9页	512K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU6P25TU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
雪崩能效等级（Eas）：	540 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.7 A
最大漏极电流 (ID)：	4.7 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQU6P25TU 数据手册

Gate Charge Test Circuit & Waveform

V_GS

Same Type

50Kꢀ

as DUT

Q_g

12V

200nF

-10V

300nF

V_DS

V_GS

Q_gs

Q_gd

DUT

-3mA

Charge

Resistive Switching Test Circuit & Waveforms

R_L

t _on

t _off

V_DS

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD

V_GS

R_G

10%

DUT

-10V

90%

V_DS

Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms

BV_DSS

--------------------

BV_DSS- V_DD

----

E_AS

L I_AS

V_DS

I _D

t _p

Time

V_DD

V_DS(t)

R_G

V_DD

I_D(t)

DUT

-10V

I_AS

BV_DSS

t _p

Rev. A, April 2000

1 2 3 456 7 8 9

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