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FQU7P20TU

更新时间： 2024-02-04 19:32:21

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	830K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU7P20TU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
雪崩能效等级（Eas）：	570 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.7 A
最大漏极电流 (ID)：	5.7 A	最大漏源导通电阻：	0.69 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQU7P20TU 数据手册

November 2013

FQD7P20

P-Channel QFET^®MOSFET

-200 V, -5.7 A, 690 mΩ

Description

Features

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar

stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET

technology has been especially tailored to reduce on-state

resistance, and to provide superior switching performance

and high avalanche energy strength. These devices are

suitable for switched mode power supplies, audio amplifier,

DC motor control, and variable switching power applications.

• -5.7 A, -200 V, R_DS(on)= 690 mΩ (Max.) @ V_GS= -10 V,

I_D= -2.85 A

•

Low Gate Charge (Typ. 19 nC)

Low Crss (Typ. 25 pF)

100% Avalanche Tested

D-PAK

Absolute Maximum Ratings

T = 25°C unless otherwise noted.

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Maximum Lead Temperature for Soldering,

1/8" from Case for 5 Seconds.

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Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Unit

FQD7P20TM

R_JC

R_JA

Thermal Resistance, Junction to Case, Max.

2.27

110

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.

Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in²Pad of 2-oz Copper), Max.

^oC/W

www.fairchildsemi.com

FQD7P20 Rev. C0

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FQU8N25TU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 250V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQU8P10	FAIRCHILD	获取价格	100V P-Channel MOSFET
FQU8P10TU	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel QFET® MOSFET -100V, -6.6A, 530mΩ, TO251 (IPAK) MOLDED,3 LEAD,
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