5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.53 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQU8P10TU | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-6.6 A，530 mΩ，IPA |
|
| FQU8P10TU | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel QFET® MOSFET -100V, -6.6A, 530mΩ, TO251 (IPAK) MOLDED,3 LEAD, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU8P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel QFET® MOSFET -100V, -6.6A, 530mΩ, TO251 (IPAK) MOLDED,3 LEAD, |
|
| FQU8P10TU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-6.6 A，530 mΩ，IPA |
|
| FQU8P10TU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FQU9N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
|
| FQU9N08L | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU9N08TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQU9N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQU9N15TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQU9N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQU9N25TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
