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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.31 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.53 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 44 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU8P10TU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| FQU9N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
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| FQU9N08L | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQU9N08TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQU9N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQU9N15TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQU9N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FQU9N25TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQU9N25TU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 250 V，7.4 A，420 mΩ，IPAK |
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| FQV243L10PF | AMICC |
获取价格 |
FIFO, 2KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80 |
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