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FQU7P20TU_AM002

更新时间： 2024-02-17 00:05:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 830K
描述
Transistor

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FQU7P20TU_AM002 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

FQU7P20TU_AM002 数据手册

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November 2013  
FQD7P20  
P-Channel QFET® MOSFET  
-200 V, -5.7 A, 690 mΩ  
Description  
Features  
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar  
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduce on-state  
resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are  
suitable for switched mode power supplies, audio amplifier,  
DC motor control, and variable switching power applications.  
• -5.7 A, -200 V, RDS(on) = 690 mΩ (Max.) @ VGS = -10 V,  
ID = -2.85 A  
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 19 nC)  
Low Crss (Typ. 25 pF)  
100% Avalanche Tested  
S
D
G
G
S
D-PAK  
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
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Maximum Lead Temperature for Soldering,  
1/8" from Case for 5 Seconds.  
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Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQD7P20TM  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
2.27  
110  
50  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD7P20 Rev. C0  
1
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