FQU6P25TU

更新时间： 2024-01-09 22:46:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
9页	512K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU6P25TU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
雪崩能效等级（Eas）：	540 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.7 A
最大漏极电流 (ID)：	4.7 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQU6P25TU 数据手册

Typical Characteristics

V_GS

Top :

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.5V

-6.0V

10¹

Bottom : -5.5V

ꢀ

150

10⁰

ꢀ

-55

ꢀ

Notes :

ꢁ

ꢀ

Notes :

1. 250 s Pulse Test

2. T_C= 25

1. V_DS= -40V

-1

ꢂ

ꢁ

2. 250 s Pulse Test

-1

10⁰

10¹

-V_GS, Gate-Source Voltage [V]

-V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

10¹

V_GS= - 10V

V_GS= - 20V

10⁰

ꢀ

150

ꢀ

Notes :

1. V_GS= 0V

2. 250 s Pulse Test

ꢀ

ꢁ

Note : T = 25

-1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

-I_D, Drain Current [A]

-V_SD, Source-Drain Voltage [V]

Figure 3. On-Resistance Variation vs.

Drain Current and Gate Voltage

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation vs. Source Current

and Temperature

1400

1200

1000

800

600

400

200

_iss= C_gs+ C_gd(C_ds= shorted)

C_oss= C_ds+ C

V_DS= -50V

V_DS= -125V

V_DS= -200V

C_rss= C

iss

oss

ꢀ

Notes :

1. V_GS= 0 V

2. f = 1 MHz

rss

ꢀ

Note : I_D= -6.0 A

-1

Q_G, Total Gate Charge [nC]

-V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

Rev. A, April 2000

1 234 5 6 7...9

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