5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.29 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A | 最大漏源导通电阻： | 5.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.4 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU2N50BTU_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQU2N50BTU-WS | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET |
|
| FQU2N50TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQU2N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQU2N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQU2N60C | KERSEMI |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
|
| FQU2N60CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC) |
|
| FQU2N60CTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1.9 A，4.7 Ω，IPAK |
|
| FQU2N60TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQU2N60TU | ROCHESTER |
获取价格 |
2A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
