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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 580 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 41 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF18N20V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQPF18N50V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF18N50V2SDTU | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 500V, 0.265ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
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| FQPF18N50V2SDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQPF19N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQPF19N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，100V，13.6A，100mΩ |
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| FQPF19N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQPF19N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF19N20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，11.8 A，150 mΩ，TO-2 |
|
| FQPF19N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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