FMMT549

更新时间： 2024-11-11 10:34:51

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	116K
描述
SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FMMT549 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

FMMT549 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR

FMMT549

FMMT549A

MEDIUM POWER TRANSISTORS

✪

FEATURES

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

Low equivalent on-resistance; R_CE(sat)250mΩ at 1A

1 Amp continuous current

COMPLEMENTARY TYPES FMMT549 - FMMT449

FMMT549A - N/A

PARTMARKING DETAIL

FMMT549 - 549

FMMT549A - 59A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-35

Collector-Emitter Voltage

-30

Emitter-Base Voltage

-5

-2

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

-1

I_B

-200

°C

Power Dissipation: at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

500

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltages

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-35

-30

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Cut-Off Currents

-0.1

-10

V_CB=-30V

V_CB=-30V, T_amb=100°C

µA

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V

µA

Saturation Voltages

V_CE(sat)

-0.25

-0.50

-0.75

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-2A, I_B=-200mA*

I_C=-100mA, I_B=-1mA*

FMMT549A

-0.30

-1.25

-1

V_BE(sat)

-0.9

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

Base Emitter Turn-on Voltage V_BE(on)

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

-0.85

200

130

I_C=-50mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

FMMT549

FMMT549A

100

150

100

160

200

300

500

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=-100mA, V_CE=-5V

f=100MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

t_on

V_CB=-10V, f=1MHz

I_C=-500mA, V_CC=-10V

I_B1=I_B2=-50mA

t_off

300

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3 - 127

中文翻译

下载PDF

与FMMT549相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT549_06	FAIRCHILD	获取价格	PNP Low Saturation Transistor
FMMT549_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-
FMMT549A	DIODES	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
FMMT549A	KEXIN	获取价格	Medium Power Transistor
FMMT549A	TYSEMI	获取价格	Low equivalent on-resistance.
FMMT549A	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
FMMT549ATA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3
FMMT549ATA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3
FMMT549ATC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3
FMMT549D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与FMMT549相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMMT549

FMMT549 技术参数

FMMT549 数据手册

与FMMT549相关器件

与FMMT549相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMMT549

FMMT549 技术参数

FMMT549 数据手册

与FMMT549相关器件

与FMMT549相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？