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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT551TC
FMMT551TC PDF预览

FMMT551TC

更新时间： 2024-11-07 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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FMMT551TC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOT-23, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.34最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：25 pF集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：0.35 VBase Number Matches：1

FMMT551TC 数据手册

 浏览型号FMMT551TC的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FMMT551  
FEATURES  
*
*
60 Volt VCEO  
E
1 Amp continuous current  
C
B
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT451  
551  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-80  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-60  
V
-5  
-2  
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
A
IB  
-200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO -80  
IC=-100µA  
Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
VCEO(sus) -60  
V
V
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
VCB=-60V  
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
-5  
Collector Cut-Off Current ICBO  
-0.1  
µA  
µA  
V
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-0.1  
VEB=-4V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.35  
IC=-150mA, IB=-15mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
hFE  
-1.1  
150  
V
IC=-150mA, IB=-15mA*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
50  
10  
IC=-150mA, VCE=-10V*  
IC=-1A, VCE=-10V*  
Transition  
Frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
25  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 129  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT555 KEXIN

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 		Medium Power Transistor
FMMT555 TYSEMI

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FMMT555 DIODES

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