FMMT549A

更新时间： 2024-11-10 22:48:59

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管局域网
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描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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FMMT549A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	25 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	50 ns	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

FMMT549A 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR

FMMT549

FMMT549A

MEDIUM POWER TRANSISTORS

✪

FEATURES

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

Low equivalent on-resistance; R_CE(sat)250mΩ at 1A

1 Amp continuous current

COMPLEMENTARY TYPES FMMT549 - FMMT449

FMMT549A - N/A

PARTMARKING DETAIL

FMMT549 - 549

FMMT549A - 59A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-35

Collector-Emitter Voltage

-30

Emitter-Base Voltage

-5

-2

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

-1

I_B

-200

°C

Power Dissipation: at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

500

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltages

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-35

-30

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Cut-Off Currents

-0.1

-10

V_CB=-30V

µA

V_CB=-30V, T_amb=100°C

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V

µA

Saturation Voltages

V_CE(sat)

-0.25

-0.50

-0.75

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-2A, I_B=-200mA*

I_C=-100mA, I_B=-1mA*

FMMT549A

-0.30

-1.25

-1

V_BE(sat)

-0.9

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

Base Emitter Turn-on Voltage V_BE(on)

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

-0.85

200

130

I_C=-50mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

FMMT549

FMMT549A

100

150

100

160

200

300

500

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=-100mA, V_CE=-5V

f=100MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

t_on

V_CB=-10V, f=1MHz

I_C=-500mA, V_CC=-10V

I_B1=I_B2=-50mA

t_off

300

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3 - 127

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FMMT549ATA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3
FMMT549ATC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3
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FMMT549TC	DIODES	获取价格	Transistor
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