5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT555
FMMT555 PDF预览

FMMT555

更新时间： 2024-09-16 22:48:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

FMMT555 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.27Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：10 pF
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

FMMT555 数据手册

 浏览型号FMMT555的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 3 – JANUARY 1996  
FMMT555  
FEATURES  
*
*
150 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
E
C
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT455  
555  
B
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
-160  
-150  
-5  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
A
IB  
-200  
500  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb= 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-160  
-150  
-5  
IC=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=-10mA*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
-0.1  
-10  
VCB =-140V  
VCB =-140V, Tamb=100°C  
µA  
µA  
IEBO  
-0.1  
-0.3  
VEB=-4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
V
IC=-100mA, IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-1  
-1  
V
V
IC=-100mA, IB=-10mA*  
IC=-100mA, VCE =-10V*  
Base-Emitter  
Turn-on Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
50  
50  
IC=-10mA, VCE =-10V*  
IC=-300mA, VCE =-10V*  
300  
Transition Frequency  
fT  
100  
MHz  
pF  
IC=-50mA, VCE =-10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
10  
VCB =-10V, f=1MHz  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 131  
12

中文翻译

下载PDF

与FMMT555相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT555_03 ZETEX

获取价格

 		SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT5550 ZETEX

获取价格

 		SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
FMMT5550-1FZ ZETEX

获取价格

 		SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
FMMT5550TA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
FMMT5550TC DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
FMMT5551 ZETEX

获取价格

 		SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
FMMT5551TA ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
FMMT5551TC DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
FMMT5551-ZG1 ZETEX

获取价格

 		SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
FMMT555Q DIODES

获取价格

 		PNP, 150V, 1A, SOT23

与FMMT555相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证