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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT549TA
FMMT549TA PDF预览

FMMT549TA

更新时间： 2024-11-11 13:02:51
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 125K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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FMMT549TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.26最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：25 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

FMMT549TA 数据手册

 浏览型号FMMT549TA的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
FMMT549  
FMMT549A  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
✪
FEATURES  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
*
*
Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 250mΩ at 1A  
1 Amp continuous current  
E
C
COMPLEMENTARY TYPES – FMMT549 - FMMT449  
FMMT549A - N/A  
B
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT549 - 549  
FMMT549A - 59A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-35  
Collector-Emitter Voltage  
-30  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
-2  
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
A
IB  
-200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation: at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-35  
-30  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Cut-Off Currents  
-0.1  
-10  
VCB=-30V  
µA  
µA  
VCB=-30V, Tamb=100°C  
IEBO  
-0.1  
VEB=-4V  
µA  
Saturation Voltages  
VCE(sat)  
-0.25  
-0.50  
-0.50  
-0.75  
V
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-2A, IB=-200mA*  
IC=-100mA, IB=-1mA*  
FMMT549A  
-0.30  
-1.25  
-1  
V
V
V
VBE(sat)  
-0.9  
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
Base Emitter Turn-on Voltage VBE(on)  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
-0.85  
70  
80  
40  
200  
130  
80  
IC=-50mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
FMMT549  
FMMT549A  
100  
150  
100  
160  
200  
300  
500  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
Transition Frequency  
fT  
MHz  
IC=-100mA, VCE=-5V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
ton  
25  
pF  
ns  
ns  
VCB=-10V, f=1MHz  
50  
IC=-500mA, VCC=-10V  
IB1=IB2=-50mA  
toff  
300  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3 - 127  
12

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