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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT5551
FMMT5551 PDF预览

FMMT5551

更新时间： 2024-11-07 04:18:43
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压局域网
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1页 31K
描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

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FMMT5551 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.33 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

FMMT5551 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS  
FMMT5550  
FMMT5551  
ISSUE 4 - NOVEMBER 1996  
✪
PARTMARKING DETAILS -  
FMMT5550 – 1FZ  
FMMT5551 – ZG1  
E
C
COMPLEMENTARY TYPES - FMMT5550 – FMMT5400  
FMMT5551 – FMMT5401  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
FMMT5550 FMMT5551  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
160  
140  
6
180  
160  
6
V
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
600  
330  
600  
330  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C).  
FMMT5550  
FMMT5551  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
MIN. MAX. MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
160  
140  
6
180  
160  
6
V
V
V
IC=100µA  
IC=1mA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=10µA*  
Collector Cut-Off  
Current  
100  
100  
nA  
µA  
V
CB=100V  
VCB=100V, TA=100°C  
CB=120V  
V
50 nA  
50  
VCB=120V, TA=100°C  
µA  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
hFE  
60  
60  
20  
80  
80  
30  
IC=1mA, VCE=5V  
IC=10mA, VCE=5V  
IC=50mA, VCE=5V  
250  
250  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
0.15  
0.25  
0.15 V  
0.20 V  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=50mA, IB=5mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1.0  
1.2  
1.0  
1.2  
V
V
IC=10mA, IB=1mA  
IC=50mA, IB=5mA  
Transition  
Frequency  
100  
50  
300  
100  
50  
300 MHz IC=10mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Output Capacitance Cobo  
6.0  
6.0 pF  
260  
VCB=10V, f=1MHz  
Small Signal  
hfe  
200  
IC=1mA, VCE=10V  
†
f=1KHz  
Noise Figure  
NF  
10  
8
dB  
IC=250µA, VCE=5V,  
R =1KΩ  
S
f=10Hz to 15.7KHz  
†
Periodic Sample Test Only  
PAGE NUMBER  
.
1

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