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FLL21E180IU

更新时间： 2024-01-20 00:46:36

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High Voltage - High Power GaAs FET

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FLL21E180IU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	28 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLL21E180IU 数据手册

FLL21E180IU

High Voltage - High Power GaAs FET

Output Power vs. Frequency

@VDS =28V IDS=1.7A

Output Power vs. Input Power

@VDS =28V IDS=2A f=2.14GHz

Pulse RF Test : P.W. 1msec ,duty=10%

2.05

2.1

2.15

2.2

2.25

2.3

Frequency [GHz]

18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42

Input Power [dBm]

Pin=20dBm

Pin=36dBm

Pin=25dBm

Pin=30dBm

P1dB

Pin=39.5dBm

Two-Carrier IMD(ACLR), Drain Efficiency vs. Output Power

@VDS =28V IDS=1.7A fo=2.1325, f1=2.1475GHz

W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation

Single-Carrier ACLR , Drain Efficiency vs. Output Power

@VDS =28V IDS=1.7A fo=2.1325GHz

W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48

Output Power [dBm]

28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48

Output Power [dBm]

IM3

IM5

Drain Efficiency

+/-5MHz

+/-10MHz

Drain Efficiency

123 4 5 6

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