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FLL200IB-3

更新时间: 2024-01-20 02:12:08
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EUDYNA 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 125K
描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

FLL200IB-3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.19
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (ID):6 A
FET 技术:JUNCTION最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

FLL200IB-3 数据手册

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FLL200IB-2  
L-Band Medium & High Power GaAs FET  
S
S
S
S
+90°  
3
11  
22  
21  
12  
+j50  
1.5  
4GHz  
1.6  
4GHz  
1.0GHz  
+j100  
2.6  
+j25  
1.7  
2.7  
2.5  
3.5  
2
1.8  
1.9  
1.5  
1.0GHz  
+j250  
2.5  
1
2.4  
+j10  
0
2.6  
2.3  
2.2  
2.4  
2.5  
2.8  
2.0  
2
2.9GHz  
2.1  
2.3  
2.6  
0.06  
2.7  
0.1  
100  
25  
50Ω  
2.8  
10  
250  
180°  
0°  
2.1  
3.0  
3.0  
2.5  
SCALE FOR |S  
2.2  
|
21  
2.0  
1.9  
2.9GHz  
1.7  
1.8  
2.9  
2.7  
-j10  
-j250  
1.9  
2.9  
2.1  
2.8  
2.0  
-j25  
-j100  
-90°  
-j50  
S-PARAMETERS  
= 10V, I = 4800mA  
V
DS  
S21  
DS  
FREQUENCY  
(MHZ)  
S11  
S12  
S22  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
500  
1000  
1500  
1700  
2000  
2300  
2500  
2700  
3000  
3500  
4000  
.944  
.937  
.880  
.791  
.379  
.309  
.408  
.480  
.803  
.915  
.926  
157.3  
127.4  
90.3  
68.9  
27.8  
82.4  
41.8  
-43.5  
1.164  
.835  
60.9  
28.8  
.004  
.006  
.010  
.014  
.025  
.031  
.035  
.039  
.012  
.001  
.002  
-.8  
-16.3  
-55.4  
-81.9  
-147.2  
128.7  
78.5  
6.2  
-111.1  
72.1  
.906  
.855  
.826  
.810  
.814  
.789  
.651  
.290  
.718  
.937  
.947  
166.1  
153.8  
141.4  
135.6  
125.6  
104.9  
83.8  
1.090  
1.421  
2.283  
2.569  
2.632  
2.631  
.772  
-14.0  
-39.7  
-100.2  
179.4  
128.5  
55.1  
-68.4  
-151.4  
-8.2  
26.4  
-158.4  
135.8  
102.3  
-177.7  
131.5  
109.9  
.030  
.013  
8.3  
Download S-Parameters, click here  
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER  
V
=10V  
0.6 I  
DSS  
DS  
I
DS  
f = 2.3 GHz  
44  
42  
40  
38  
P
out  
50  
40  
30  
20  
10  
η
add  
36  
34  
32  
23 25 27 29 31 33  
Input Power (dBm)  
4

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