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FLL200IB-3

更新时间： 2024-01-30 07:31:58

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EUDYNA		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
6页	125K
描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

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FLL200IB-3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLL200IB-1, FLL200IB-2, FLL200IB-3

L-Band Medium & High Power GaAs FET

POWER DERATING CURVE

100

150

200

Case Temperature (°C)

DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE

=0V

8000

-0.5V

-1.0V

-1.5V

-2.0V

6000

4000

2000

Drain-Source Voltage (V)

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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