5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FJP3307DH2TU
FJP3307DH2TU PDF预览

FJP3307DH2TU

更新时间： 2024-09-15 21:12:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 148K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

FJP3307DH2TU 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：8.03Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：26
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FJP3307DH2TU 数据手册

 浏览型号FJP3307DH2TU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FJP3307DH2TU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FJP3307DH2TU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FJP3307DH2TU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FJP3307DH2TU的Datasheet PDF文件第6页 
FJP3307D  
High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor  
Features  
•
•
Built-in Diode between Collector and Emitter  
Suitable for Electronic Ballast and Switch Mode Power Supplies  
Internal Schematic Diagram  
C
B
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Value  
700  
400  
9
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
V
V
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
8
A
ICP  
16  
A
IB  
4
A
PC  
Collector Dissipation (TC = 25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
80  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
-55 ~ 150  
* Pulse Test: PW = 300µs, Duty Cycle = 2% Pulsed  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
IEBO  
Parameter  
Conditions  
IC = 500µA, IE = 0  
Min.  
Typ.  
Max Units  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Emitter Cut-off Current  
700  
400  
9
V
V
V
IC = 5mA, IB = 0  
IE = 500µA, IC = 0  
VEB = 9V, IC = 0  
VCE = 5V, IC = 2A  
1
mA  
hFE1  
hFE2  
DC Current Gain  
8
5
40  
30  
V
CE = 5V, IC = 5A  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 2A, IB = 0.4A  
IC = 5A, IB = 1A  
IC = 8A, IB = 2A  
IC = 2A, IB = 0.4A  
IC = 5A, IB = 1A  
1
2
V
V
V
V
V
3
VBE(sat)  
1.2  
1.6  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJP3307D Rev. 1.0.0  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

中文翻译

下载PDF

FJP3307DH2TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FJP13007H2TU FAIRCHILD

类似代替

 High Voltage Switch Mode Application

与FJP3307DH2TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJP3307DTU FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL
FJP3307DTU ONSEMI

获取价格

 		高电压快速开关 NPN 功率晶体管
FJP3835 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Amplifier
FJP3835TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
FJP5021 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage and High Reliability
FJP5021O FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FJP5021OTU ROCHESTER

获取价格

 		5A, 500V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
FJP5021Y FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
FJP5027 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage and High Reliability
FJP5027N FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

与FJP3307DH2TU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证