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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.42 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 17 A | 集电极-发射极最大电压： | 250 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FJP5200R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plas |
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| FJP5200RTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
FAIRCHILD Small Signal Transistors |
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| FJP5200RTU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 外延硅晶体管 |
|
| FJP5304D | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage High Speed Power Switch Application |
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| FJP5304D_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor |
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| FJP5304DTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL |
|
| FJP5304DTU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN型三重扩散平面硅晶体管 |
|
| FJP5321 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage and High Reliability |
|
| FJP5321TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| FJP5355 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Switch Mode Application |
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