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FJP9100TU

更新时间： 2024-11-25 19:55:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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FJP9100TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：LEAD FREE, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：275 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FJP9100TU 数据手册

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FJP9100  
High Voltage Power Darlington Transistor  
•
•
Built-in Resistor at Base-Emitter : R (Typ.)=2000Ω  
1
Built-in Resistor at Base : R (Typ.)=700 ± 100Ω  
B
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Silicon Darlington Transistor  
Equivalent Circuit  
C
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
Value  
Units  
V
V
V
600  
V
CBO  
CEO  
EBO  
275  
V
B
R
B
10  
V
I
I
I
4
A
C
R
1
6
0.5  
A
CP  
B
R
R
2000 Ω  
700 Ω  
1
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
°C  
°C  
E
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=2% Pulsed  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
600  
600  
275  
10  
Typ.  
Max. Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 500µA, I = 0  
V
V
V
V
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
C
C
C
E
BV  
BV  
BV  
= 1mA, R = 330Ω  
BE  
(sus)  
= 1.5A, I = 50mA, L=25mH  
B
I = 500µA, I = 0  
E
C
I
I
V
V
= 600V, I = 0  
0.1  
0.1  
mA  
mA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
= 10V, I = 0  
C
h
DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0.5A  
1000  
1000  
5000  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 3A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= 2A, I = 5mA  
1.5  
6.0  
V
V
CE  
C
C
B
(sat)  
= 2A, I = 5mA  
B
BE  
C
V
= 10V, I = 0, f=1MHz  
110  
pF  
ob  
CB  
E
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2003  
12345

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