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FJP5554TU

更新时间: 2024-11-24 22:31:59
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
6页 173K
描述
High Voltage Fast Switching Transistor

FJP5554TU 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:4.47
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):70 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FJP5554TU 数据手册

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FJP5554  
High Voltage Fast Switching Transistor  
Features  
Fast Speed Switching  
Wide Safe Operating Area  
Suitable for Electronic Ballast Application  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Value  
1050  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
400  
V
15  
V
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation (TC = 25°C)  
Junction Temperature  
4
8
A
ICP  
A
PC  
70  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 ~ 150  
* Pulse Test: PW = 300µs, Duty Cycle = 2% Pulsed  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
J5554  
Device  
FJP5554TU  
FJP5554  
Package  
TO-220  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
-
-
50  
J5554  
TO-220  
-
-
200  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJP5554 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  

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