FJP5555TU

更新时间： 2024-11-25 03:36:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
NPN Silicon Transistor

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FJP5555TU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	4.48
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FJP5555TU 数据手册

March 2008

FJP5555

NPN Silicon Transistor

High Voltage Switch Mode Application

•

Fast Speed Switching

Wide Safe Operating Area

Suitable for Electronic Ballast Application

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings * T =25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

1050

400

Units

Collector-Base Voltage

CBO

CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

EBO

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation.

°C

Junction Temperature

150

Storage Junction Temperature Range

- 55 ~ 150

STG

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Ordering Information

Part Number

Marking

Package

Packing Method

Remarks

FJP5555TU

J5555

TO220

TUBE

FJP5555 Rev. 1.0.0

www.fairchildsemi.com

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