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FJP9100

更新时间： 2024-11-24 22:26:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管局域网
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5页 72K
描述
High Voltage Power Darlington Transistor

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FJP9100 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：275 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FJP9100 数据手册

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FJP9100  
High Voltage Power Darlington Transistor  
•
•
Built-in Resistor at Base-Emitter : R (Typ.)=2000Ω  
1
Built-in Resistor at Base : R (Typ.)=700 ± 100Ω  
B
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Silicon Darlington Transistor  
Equivalent Circuit  
C
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
Value  
Units  
V
V
V
600  
V
CBO  
CEO  
EBO  
275  
V
B
R
B
10  
V
I
I
I
4
A
C
R
1
6
0.5  
A
CP  
B
R
R
2000 Ω  
700 Ω  
1
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
°C  
°C  
E
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=2% Pulsed  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
600  
600  
275  
10  
Typ.  
Max. Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 500µA, I = 0  
V
V
V
V
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
C
C
C
E
BV  
BV  
BV  
= 1mA, R = 330Ω  
BE  
(sus)  
= 1.5A, I = 50mA, L=25mH  
B
I = 500µA, I = 0  
E
C
I
I
V
V
= 600V, I = 0  
0.1  
0.1  
mA  
mA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
= 10V, I = 0  
C
h
DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0.5A  
1000  
1000  
5000  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 3A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= 2A, I = 5mA  
1.5  
6.0  
V
V
CE  
C
C
B
(sat)  
= 2A, I = 5mA  
B
BE  
C
V
= 10V, I = 0, f=1MHz  
110  
pF  
ob  
CB  
E
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2003  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJP9100TU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
FJPA-16-K MSYSTEM

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 		Space-saving Plug-in Signal Conditioners F-UNIT
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