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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FJP5321TU
FJP5321TU PDF预览

FJP5321TU

更新时间： 2024-11-27 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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FJP5321TU 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：14 MHzBase Number Matches：1

FJP5321TU 数据手册

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FJP5321  
High Voltage and High Reliability  
•
•
High speed Switching  
Wide Safe Operating Area  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
800  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
500  
V
CEO  
EBO  
7
V
I
I
I
I
5
A
C
10  
A
CP  
B
2
4
A
*Base Current (Pulse)  
A
BP  
P
Power Dissipation(T =25°C)  
100  
W
°C  
°C  
C
C
T
Junction Temperature  
150  
J
T
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
800  
500  
7
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 1mA, I = 0  
-
-
-
-
-
-
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
C
E
BV  
BV  
= 5mA, I = 0  
-
V
B
=1mA, I = 0  
-
V
C
I
I
V
V
= 800V, I = 0  
-
100  
10  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
= 7V, I = 0  
-
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0.6A  
15  
8
-
-
40  
-
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 3A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain bandwidth Product  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Turn On Time  
I
I
= 3A, I = 0.6A  
-
-
-
-
1.0  
1.5  
-
V
V
CE  
C
C
B
= 3A, I = 0.6A  
-
BE  
B
f
V
V
V
= 10V, I = 0.6A  
14  
MHz  
pF  
pF  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
T
CE  
CB  
EB  
C
C
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
-
-
-
65  
100  
2000  
0.5  
6.5  
0.3  
0.5  
3.0  
0.3  
ob  
ib  
E
= 7V, I = 0, f = 1MHz  
1400  
C
t
t
t
t
t
t
V
= 125V, I = 1A  
-
-
-
-
-
-
ON  
CC  
C
I
= -I = 0.2A  
Storage Time  
B1  
B2  
STG  
F
R = 125Ω  
L
Fall Time  
-
-
-
-
Turn On Time  
V
= 250V, I = 4A  
CC C  
ON  
STG  
F
I
= 0.8A, I = -1.6A  
Storage Time  
B1  
B2  
R = 62.5Ω  
L
Fall Time  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2003  
123456

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