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FJP5355

更新时间： 2024-11-05 21:55:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关高压
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5页 72K
描述
High Voltage Switch Mode Application

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FJP5355 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：440 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：7
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

FJP5355 数据手册

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FJP5355  
High Voltage Switch Mode Application  
•
•
•
•
High Speed Switching  
Very Low Switching Losses  
Very Low Operating Temperature  
Wide RBSOA  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
900  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
440  
14.5  
5
V
I
A
C
I
I
7.5  
A
CP  
B
2.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector- Base Breakdown Voltage  
Collector- Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I
I
= 500µA, I = 0  
900  
440  
14.5  
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= 5mA, I = 0  
V
B
I = 500µA, I = 0  
V
E
C
I
V
= 12V, I = 0  
1
µA  
EBO  
EB  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
V
= 2V, I = 10mA  
15  
15  
7
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 0.8A  
C
= 2V, I = 2.5A  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 0.8A, I = 0.2A  
0.2  
0.4  
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= 2.5A, I = 0.8A  
B
(sat)  
I
I
= 0.8A, I = 0.2A  
1.0  
1.2  
V
V
C
C
B
= 2.5A, I = 0.8A  
B
f
t
t
t
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
= 10V, I = 0.2A  
4
MHz  
µs  
T
CE  
C
= 125V, I = 0.5A  
1.1  
1.2  
0.4  
ON  
STG  
F
CC  
C
I
= 45mA, -I = 0.5A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
PW=300µs  
Fall Time  
µs  
* Pulse test: PW≤300µs, Duty cycle≤2%  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, September 2003  
12345

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