生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | TO-220AB, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | 最大集电极电流 (IC): | 15 A |
集电极-发射极最大电压: | 230 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 80 | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 30 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FJP5200OTU | FAIRCHILD |
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NPN Epitaxial Silicon Transistor | |
FJP5200R | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plas | |
FJP5200RTU | FAIRCHILD |
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FAIRCHILD Small Signal Transistors | |
FJP5200RTU | ONSEMI |
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NPN 外延硅晶体管 | |
FJP5304D | FAIRCHILD |
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High Voltage High Speed Power Switch Application | |
FJP5304D_08 | FAIRCHILD |
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NPN Silicon Transistor | |
FJP5304DTU | FAIRCHILD |
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NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL | |
FJP5304DTU | ONSEMI |
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NPN型三重扩散平面硅晶体管 | |
FJP5321 | FAIRCHILD |
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High Voltage and High Reliability | |
FJP5321TU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |