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FJP5200O

更新时间： 2024-11-25 18:41:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	563K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN

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FJP5200O 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	230 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

FJP5200O 数据手册

July 2008

FJP5200

Audio Power Amplifier

Features

•

High Current Capability: I_C= 15A

High Power Dissipation

Wide S.O.A

Complement to FJP1943

1. Base 2. Collector 3. Emitter

Absolute Maximum Ratings* T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

Ratings

Units

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

230

I_B

Base Current

1.5

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature

- 50 ~ +150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Max.

Units

P_D

Total Device Dissipation(T_C=25°C)

Derate above 25°C

100

0.8

W/°C

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

1.25

°C/W

* Device mounted on FR-4 PCB 1.6” X 1.6” X 0.06”.

* With infinite heatsink.

FJP5200 Rev. A

www.fairchildsemi.com

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