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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FJP3835
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FJP3835

更新时间： 2024-11-04 21:54:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率放大器局域网
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4页 61K
描述
Power Amplifier

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FJP3835 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

FJP3835 数据手册

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FJP3835  
Power Amplifier  
•
•
•
High Current Capability : I =8A  
C
High Power Dissipation  
Wide S.O.A  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
200  
V
V
CBO  
120  
CEO  
EBO  
8
V
I
I
8
16  
A
C
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =5mA, I =0  
200  
120  
8
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage I =10mA, R =∞  
V
C
BE  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
I =5mA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=80V, I =0  
0.1  
0.1  
250  
0.5  
1.2  
mA  
mA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
V
V
=4V, I =0  
C
h
=4V, I =3A  
120  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =3A, I =0.3A  
V
V
CE  
C
B
I =3A, I =0.3A  
BE  
C
B
f
V
=5V, I =1A  
30  
MHz  
pF  
µs  
T
CE  
CB  
CC  
C
C
V
V
=10V, f=1MHz  
=20V,  
210  
0.26  
0.68  
6.68  
ob  
ON  
F
t
t
t
Turn On Time  
I =1A=10I =-10I  
Fall Time  
C
B1  
B2  
µs  
R =20Ω  
L
Storage Time  
µs  
STG  
* Pulse Test : PW=20µs  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2003  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJP3835TU FAIRCHILD

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 		暂无描述
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