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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FJP3307DTU
FJP3307DTU PDF预览

FJP3307DTU

更新时间： 2024-11-05 12:58:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
6页 149K
描述
High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL

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FJP3307DTU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.08
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：80 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FJP3307DTU 数据手册

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FJP3307D  
High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor  
Features  
•
•
Built-in Diode between Collector and Emitter  
Suitable for Electronic Ballast and Switch Mode Power Supplies  
Internal Schematic Diagram  
C
B
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Value  
700  
400  
9
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
V
V
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
8
A
ICP  
16  
A
IB  
4
A
PC  
Collector Dissipation (TC = 25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
80  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
-55 ~ 150  
* Pulse Test: PW = 300µs, Duty Cycle = 2% Pulsed  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
IEBO  
Parameter  
Conditions  
IC = 500µA, IE = 0  
Min.  
Typ.  
Max Units  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Emitter Cut-off Current  
700  
400  
9
V
V
V
IC = 5mA, IB = 0  
IE = 500µA, IC = 0  
VEB = 9V, IC = 0  
VCE = 5V, IC = 2A  
1
mA  
hFE1  
hFE2  
DC Current Gain  
8
5
40  
30  
V
CE = 5V, IC = 5A  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 2A, IB = 0.4A  
IC = 5A, IB = 1A  
IC = 8A, IB = 2A  
IC = 2A, IB = 0.4A  
IC = 5A, IB = 1A  
1
2
V
V
V
V
V
3
VBE(sat)  
1.2  
1.6  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJP3307D Rev. 1.0.0  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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