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FJP13009

更新时间： 2024-11-07 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关高压
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
High Voltage Switch Mode Application

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FJP13009 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

FJP13009 数据手册

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FJP13009  
High Voltage Switch Mode Application  
•
•
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
700  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
400  
9
V
I
I
I
12  
24  
A
C
A
CP  
B
6
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
100  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
I
= 10mA, I = 0  
400  
CEO  
EBO  
C
B
I
V
= 9V, I = 0  
1
mA  
EB  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 5A  
8
6
40  
30  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 8A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 5A, I = 1A  
1
1.5  
3
V
V
V
CE  
BE  
C
C
C
B
= 8A, I = 1.6A  
B
= 12A, I = 3A  
B
(sat)  
I
I
= 5A, I = 1A  
1.2  
1.6  
V
V
C
C
B
= 8A, I = 1.6A  
B
C
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
V
= 10V, f = 0.1MHz  
180  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
= 10V, I = 0.5A  
4
T
C
= 125V, I = 8A  
1.1  
3
ON  
STG  
F
C
I
= - I = 1.6A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
R = 15,6Ω  
L
Fall Time  
0.7  
µs  
* Pulse test: PW≤300µs, Duty cycle≤2%  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2003  
12345

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FJP13009 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSE13009TU FAIRCHILD

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